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在过去50多年,尤其是近30年的时间里,微电子技术是沿着两条并行相关而独立的路线向前发展的。第一条路线是按照摩尔定律在硅数字集成电路方面的进步,这是技术推动的力量。军用硅集成电路面临的挑战是如何解决芯片结构的复杂性及设计问题。同时,高可靠的半导体材料和工艺技术也按照这一发展路线进行了成功的研发,形成了微电子器件技术与产品的发展主流,以及军民集成电路协同发展的局面。第二条路线迄今为止主要是由军事需求牵引。由于军事电子装备对高频器件的迫切需求,主要是解决微波和毫米波功率器件以及微波单片集成电路(MMIC),又驱使人民对化合物半导体进行深入研究。

我国的军用微电子器件经过多年的努力,尤其是近十年的快速发展,军用集成电路实现了0.25um-0.5um,5英寸-6英寸工艺水平;产品设计达到0.18um-90nm,数千万门的能力。军用4英寸砷化镓MMIC科研开发的工艺线从0.5um提高到0.25um;高性能信号处理器可以兼容奔腾586CPU、ADSP21060、TMS320C6711和PowerPC603e芯片,星用抗辐射处理器SparcV8和基于SOI工艺的1750A微处理器等开发成功,缩小了我国与国际水平之间的差距;已经定型生产的386/387、486等兼容CPU,TMS320C25、3X、50和ADSP21160等兼容数字信号处理芯片DSP;4M位-16M位存储器,高性能门阵列器件等,可喜的这些东西完全可以替代进口产品。

还有8位200MSPS A/D转换器、12位50MSPS A/D转换器、16位2MSPS A/D转换器、14位300MHz DDS和抗辐射器件DC/DC电源等相继研制成功,缓解了我国高新武器的急需。目前,硅双极大功率、GaAs器件及MMIC实用化器件基本能够覆盖18GHz以下的产品,这是第一代和第二代半导体器件和芯片我国取得的成就。第三代半导体器件技术,如GaN和SiC宽禁带半导体微波功率器件取得了重大的突破。

中国的微电子器件和芯片技术已经赶了上来,可以预计,未来若干年,微电子技术仍然是我国发展最活跃和技术增长最快的高新科技领域。

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