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中国芯片光刻工艺研究起步,比美国稍晚,跟日本差不多同时起步,比韩国、台湾早10年。1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代,中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。清华大学研制第四代分步式投影光刻机,并在1980年获得成功,光刻精度达到3微米,接近国际主流水平。那时光刻机巨头ASML还没诞生。

但是很可惜,中国在1980年代放弃电子工业,导致20年技术积累,全部付诸东流。

1994年武汉无线电元件三厂破产改制,卖副食品去了。

972年,武汉无线电元件三厂编写的《光刻掩模版的制造》,32开66页中国改革开放前已经研制成功芯片的光刻机zt

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